通信世界网消息（CWW）日前，据外媒报道，SK海力士比预期提前六个月向AI系统开发商提供全球首款12层堆叠HBM4内存芯片样品。
SK海力士在12Hi HBM4上采用了24Gb DRAM芯片，继续使用了Advanced MR-MUF（先进批量回流-模制底部填充）键合工艺，单封装容量达36GB，带宽达2TB/s，运行速度较HBM3E提升了60%以上。
此外，带宽为2TByte/s的12层HBM4设备将在认证完成后于2025年下半年开始量产。12个芯片的堆叠可存储36GB的数据。
值得注意的是，Sk Hynix是第一家于2022年量产HBM3的内存制造商，并于2024年量产8层和12层HBM3E设备。HBM3E芯片将在今年晚些时候用于具有288GB内存的Blackwell Ultra GPU。
报道称，HBM4对英伟达下一代GPU也至关重要，Rubin计划明年使用8颗芯片堆叠。Rubin Ultra双GPU将使用16颗HBM4芯片堆叠。
