12月30日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（简称：英诺赛科），正式在港交所挂牌上市，股票代码02577.HK，发行价为30.86港元，募资额约14亿港元。上市首日，该股开盘报31港元/股，盘中股价一度涨10.17%，报34港元/股，市值一度逼近300亿港元。
英诺赛科自成立以来，始终专注于第三代半导体硅基氮化镓（GaN）的研发与产业化。作为高新技术企业的代表，英诺赛科采用IDM全产业链模式，将芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析等关键环节集于一体，为客户提供多样化封装选择的高性能、高可靠性氮化镓分立器件。公司产品研发范围覆盖低压到高压（15V-1200V），满足了不同客户的需求。
氮化镓作为一种具有高频率和低导通电阻的宽带隙半导体材料，正成为推动功率半导体行业持续变革的核心力量。英诺赛科在此领域取得了显著成就，是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司。相较于传统的6英寸硅基氮化镓晶圆，英诺赛科的8英寸量产技术不仅大幅提升了晶圆晶粒的产出数量（增加80%），还有效降低了单一器件的成本（降低30%）。
此外，英诺赛科还是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系硅基氮化镓半导体产品的公司，其8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力在全球范围内处于领先地位。截至2024年6月30日，公司的氮化镓晶圆总产能已经达到了每月12,500片，产品良率也高于行业平均水平，达到了95%以上。
对于此次上市所募集的资金，英诺赛科有着明确的规划。公司计划将所得款项净额的约60%用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能、购买及升级生产设备及机器以及招聘生产人员；约20%用于研发及扩大产品组合，以进一步提高氮化镓产品在终端市场中的渗透率；约10%用于扩大氮化镓产品的全球分销网络；剩余的约10%则用于营运资金及其他一般企业用途。
英诺赛科的成功上市，不仅为公司未来的发展注入了强大的动力，也标志着全球氮化镓功率半导体行业迈入了一个新的发展阶段。随着公司在技术研发、产能扩张和市场拓展等方面的不断推进，相信英诺赛科将在未来取得更加辉煌的成就。
