通信世界网消息（CWW）据外媒Tomshardware报道，近日，长江存储（YMTC）在美国加州北部地区的地方法院对美光提起诉讼，指控对方侵犯其11项专利，涉及3D NAND闪存及DRAM产品，要求法院勒令美光停止在美国销售侵权的存储器产品，并支付相关的专利使用费。
长江存储称，美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3D NAND闪存以及其他一些DDR5 SDRAM产品（Y2BM系列）侵犯了长江存储在美国提交的专利或专利申请。
2023年11月，长江存储就曾在美起诉美光专利侵权，涉8项专利；2024年6月，长江存储在美起诉美光资助的咨询公司，指控其散布虚假信息，试图破坏长江存储的市场声誉和商业关系。
尽管长江存储在2022年底被美国商务部列入了实体清单，无法从美国公司获得先进的半导体设备来制造128层及以上的3D NAND闪存，但是仍然努力地通过原有设备及国产设备继续开发新技术。基于Xtacking 3.0架构的芯片仍在不断生产，并且在今年早些时候，成功地将3D QLC NAND的耐久性大幅提高到3D TLC NAND的水平。
