随着集成电路制造工艺持续微缩，晶体管结构的细微化逐渐成为产业重要的课题之一。 据悉，日本产业技术综合研究所与中国台湾半导体研究中心（TSRI）等展开合作，开发了用于新一代半导体的新型晶体管结构。
据日经中文网报道，最近日本产业技术综合研究所与中国台湾半导体研究中心（TSRI）等开发出新一代半导体必需的新结构的场效应晶体管（FET），即将硅（Si）和锗（Ge）等不同沟道材料从上下方堆叠、使“n型”和“p型”场效应晶体管靠近的名为“CFET”的结构。
报道称，与此前的晶体管相比，CFET结构的晶体管性能高、面积小，有助于制造2纳米以下线宽的新一代半导体。
据悉，这一研究成果发表于2020年12月在线上举行的半导体相关国际会议“IEDM2020”。该项新技术有望在今后约3年里对民营企业进行转让，实现实用化。
三维异质沟道互补式场效应晶体管的外观
